В области технологий производства твердотельной памяти прогресс имеет важное значение, так как он позволяет повысить плотность хранения данных. Южнокорейская компания SK hynix, по данным The Elec, намерена запустить серийное производство инновационной 375-слойной памяти типа 3D NAND к концу текущего года.
Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»
72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию
Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены
Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро
Источник изображения: SK hynix
Компания уже завершила верификацию соответствующих технологий и приступила к подготовке к их масштабированию в условиях массового производства. Для освоения выпуска 375-слойной 3D NAND этот производитель не планирует возводить новое предприятие, а вместо этого модернизирует существующие производственные линии на территории комплекса M15 в Чхонджу, которые в настоящее время задействованы для изготовления памяти 3D NAND с 176, 238 и 321 слоями соответственно.
В планах SK hynix память с 375 слоями значилась как относящаяся к 400-слойному классу. Однако по мере приближения к моменту фактической реализации планов количество слоёв было сокращено из-за производственных сложностей, неизбежно возникающих в этой сфере при увеличении числа слоёв в микросхемах памяти. Тем не менее, в будущем SK hynix рассчитывает нарастить количество слоёв до 480 и 604 соответственно.
Одним из нововведений при производстве 375-слойной памяти станет применение молибденовой плёнки вместо вольфрамовой в электродах металлических затворов. С увеличением числа слоёв возрастает электрическое сопротивление вольфрама, что замедляет передачу сигнала. В таких условиях молибден демонстрирует более низкое сопротивление, позволяя ускорить передачу сигнала и повысить скорость записи и удаления данных. Кроме того, при нанесении вольфрамового покрытия требуется вспомогательный слой, увеличивающий толщину структуры, тогда как молибден позволяет обойтись без него и повысить плотность чипа.
Использование молибдена сопряжено с определёнными технологическими трудностями, поскольку в твёрдой форме он существует как сырьё при комнатной температуре, а наносить его придётся при нагреве. Конкурирующая Samsung Electronics перешла на использование молибдена ещё в апреле 2024 года при выпуске 286-слойной памяти 3D NAND. Во второй половине текущего года Samsung планирует начать массовый выпуск памяти с более чем 400 слоями. При этом молибден будет использоваться более активно, чем предполагалось изначально.
Samsung для нанесения молибдена отдаёт предпочтение оборудованию американской Lam Research, а SK hynix намерена применять оборудование японской Tokyo Electron. В первом случае за один подход обрабатывается только одна кремниевая пластина, тогда как японское оборудование позволяет в специальной печи обрабатывать по 100 пластин одновременно. Оно не только более компактное и дешёвое, но и обеспечивает более экономичный расход молибдена. Поставлять сырьё для нужд SK hynix планируют компании Air Liquide, Entegris и Merck KGaA, а среди корейских кандидатов фигурирует SK Specialty.
Спрос на молибден в этой сфере будет расти. SK hynix на начальном этапе планирует потреблять до 4 тонн сырья в год, тогда как Samsung только в этом году потребуется 10 тонн молибдена. В следующем году потребность второй компании возрастёт до 25 тонн, а к 2030 году достигнет 80 тонн. Производителям 3D NAND выгоднее наращивать производство более дорогой и ёмкой памяти, чем просто расширять мощности, и стратегия SK hynix в этой сфере соответствует данному принципу.
Источник: