В конце мая Samsung Electronics объявила о старте отгрузок образцов памяти HBM4E, таким образом обогнав своего главного конкурента SK hynix, с которым не могла соперничать на протяжении жизненного цикла HBM3E. Последнюю компанию такая ситуация, очевидно, не устраивает, поэтому она намерена начать поставки своих образцов HBM4E раньше запланированного срока.
Согласно данным южнокорейских СМИ, изначально SK hynix планировала начать поставки образцов HBM4E во втором полугодии, однако теперь прилагает усилия для запуска отгрузок либо в текущем месяце, либо не позднее июля. Формально это означает некоторое ускорение поставок по сравнению с первоначальным планом. Учитывая, что HBM4E сама по себе предполагает глубокую адаптацию памяти под требования конкретных заказчиков, предоставлять им образцы необходимо заранее, чтобы в будущем быстрее перейти к серийному производству.
Вероятнее всего, HBM4E будет применяться в ускорителях Nvidia серии Rubin Ultra, которые появятся на рынке в следующем году. На каждый графический процессор будет приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E, поэтому общий спрос на такие чипы возрастёт. При производстве своей HBM4E компания SK hynix планирует использовать техпроцесс 1c для кристаллов DRAM и 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов. Для сравнения, Samsung Electronics способна выпускать HBM4E исключительно собственными силами, но базовые кристаллы намерена производить по более зрелому 4-нм техпроцессу. Обе компании готовы предлагать HBM4E в 12-ярусной конфигурации со скоростями передачи данных от 14 до 16 Гбит/с на один контакт. В одном стеке HBM4E может содержаться до 48 Гбайт памяти.